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半导体等精密电子器件制造的核心流程:光刻工艺
2022-08-10 10:25:23   来源:火狐体育官网app   作者:火狐体育平台app下载   点击:1

  器件制造的核心流程,主要工艺流程包括前处理、涂胶、软烘烤、对准曝光、PEB、

  光刻胶作为影响光刻效果核心要素之一,是电子产业的关键材料。光刻胶由溶剂、光引发剂和成膜树脂三种主要成分组成,是一种具有光化学敏感性的混合液体。其利用光化学反应,经曝光、显影等光刻工艺,将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,是用于微细加工技术的关键性电子化学品。

  因其在半导体等电子器件制造过程中的关键作用,光刻胶成为我国重点发展的电子产业关键材料之一。

  根据显影效果不同,光刻胶可分正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶的曝光部分溶于显影剂,显影时形成的图形与掩膜版上的图形相同。

  负性光刻胶的曝光部分不溶解于显影剂,显影时形成的图形与掩膜版相反。两者的生产工艺流程基本一致。

  正性胶已成为主流半导体光刻胶。负性光刻胶最早应用在半导体光刻工艺中,但由于显影时易变形和膨胀,1970s以后正性光刻胶成为主流。目前,在半导体光刻胶领域,g线、i线、ArF线均以正胶为主。

  根据应用领域的不同,光刻胶可分为PCB光刻胶、LCD光刻胶和半导体光刻胶。其中,PCB光刻胶的技术壁垒最低,半导体光刻胶的技术门槛最高。PCB光刻胶主要包括干膜光刻胶、湿膜光刻胶、光成像阻焊油墨。LCD领域光刻胶主要包括彩色光刻胶和黑色光刻胶、触摸屏光刻胶、TFT-LCD光刻胶。

  半导体光刻胶包括普通宽普光刻胶、g线nm)、i线nm)及最先进的EUV(《13.5nm)光刻胶,级越往上其极限分辨率越高,同一面积的硅晶圆布线密度越大,性能越好。

  光刻胶处于电子产业链核心环节,是半导体国产化的关键一环。光刻胶在电子产业链举足轻重,其上游是精细化工行业,下游是半导体、印制电路板、

  器等电子元器件制造行业。其中,半导体是光刻胶技术门槛最高的下游领域。在半导体精细加工从微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级水平的过程中,光刻胶起着举足轻重的作用,其生产制造也因此成为半导体产业链自主化的关键一环。

  光刻胶市场稳定成长,中国大陆领跑全球。根据Cision数据,2019年,全球整体光刻胶市场规模为91亿美元,而到2022年则有望达到105亿美元,年均复合增速5%。其中,作为全球最大电子产品进出口国,中国占据了光刻胶最大的市场份额。同时,伴随中国在半导体、面板和PCB等

  的市场影响力逐年提升,国内光刻胶市场规模快速扩大,根据SEMI数据,2015-2020年中国光刻胶市场规模由100亿元增长至176亿元,年均复合增速12.0%。

  国内缺乏半导体光刻胶供应能力,国产替代空间广阔。分品类来看,在全球光刻胶市场,半导体、LCD、PCB类光刻胶各自占有27%、24%和24%的份额。其中半导体光刻胶占比最高,也是技术难度最高、成长性最好的细分市场。

  不过,目前我国半导体光刻胶和面板光刻胶制造能力仍较弱,中国光刻胶企业主要生产技术水平较低的PCB用光刻胶,占整体生产结构中的94%。我国本土的半导体光刻胶及面板光刻胶供应能力十分有限,主要依赖进口,因此其国产替代空间广阔。

  后来居上。1839年,第一套“光刻系统”重铬酸盐明胶诞生。此后经过百年发展,光刻胶技术开始成熟,1950s,德国Kalle公司制成重氮萘醌-酚醛树脂印刷材料,曝光光源可采用g线s,IBM使用自研的KrF光刻胶突破了KrF光刻技术。随后,东京应化于1995年研发出KrF正性光刻胶并实现大规模商业化,因此迅速占据市场,这标志着光刻胶正式进入日本厂商的霸主时代。此后光刻技术仍在持续进步,ArF、EUV光刻胶先后问世。2000年,JSR的ArF光刻胶成为半导体工艺开发联盟认证的下一代半导体0.13μm工艺的抗蚀剂。2001,东京应化也推出了自己的ArF光刻胶产品。2002年,

  开发出分辨率22nm的低分子EUV光刻胶。JSR在2011年与SEMATECH联合开发出用于15nm工艺的化学放大型EUV光刻胶。

  目前日本企业在光刻胶领域仍保持垄断地位。光刻胶的核心技术被日本和欧美企业所掌握,并且由于光刻胶的特殊性质,市场潜在进入者很难对成品进行逆向分析,因此光刻胶产业呈现日本企业寡头垄断格局。世界主要光刻胶企业有日本JSR、东京应化、信越化学,美国陶氏化学、韩国东进世美等。中国光刻胶产业规模仍较小,但已有众多厂商积极布局,主要包括晶瑞电材、北京科华、华懋科技、上海新阳等。

  光刻胶产业链共有四大壁垒,从上游至终端分别是原材料壁垒、配方壁垒、设备壁垒和认证壁垒。其中,原材料壁垒和配方壁垒对光刻胶厂商从原料合成以及差异化研发能力提出较高要求。设备壁垒主要是研发中配套使用的,以光刻机为和核心的半导体设备,由于先进半导体设备往往价格不菲,因此这也构成光刻胶开发的壁垒之一。

  此外,光刻胶虽是半导体制造的核心材料,但其成本占整体制造流程中的比例并不高,因此下游厂商更换意愿低,再加之光刻胶本身长达数年的认证周期,这就构成了下游认证壁垒。

  过去,受限于多项壁垒压制,国内光刻胶厂商只能在夹缝中生存,产品基本集中在较低端的PCB光刻胶。而当前,国产光刻胶正处于替代窗口期,行业壁垒有逐步被打开的趋势。

  首先,国内光刻胶厂商经过多年积累,已储备了更丰富的光刻胶生产技术,头部厂商诸如北京科华、晶瑞电材等已经在KrF、ArF等高端品类中崭露头角,因此配方壁垒和原材料壁垒,在国内技术储备接近突破奇点的位置上,有望被一定程度上打破。

  同时,资本市场对光刻胶的投资升温也大幅拉动了光刻胶企业的融资能力。设备壁垒的本质是资金壁垒,在资金充足的情况下,国内厂商正积极购置先进光刻机等高端设备,以匹配先进制程产品研发。

  此外,国产化需求增强了下游晶圆厂对国内光刻胶供应商的认证意愿,再加之信越化学断供等意外事件,国内光刻胶已经进入客户认证加速期。

  从市场占比来看,半导体、PCB与LCD三类光刻胶市场份额接近。其中,半导体作为成长动力最强、发展空间最广、技术含量最高的下游市场,应当是国产光刻胶突破最核心的方向。同时,PCB和LCD光刻胶国产化也仍有不小空间,因此,本章将就光刻胶三大下游应用品类进行分类论述,以梳理不同类别光刻胶的投资逻辑。

  制造的过程中最重要的工艺。光刻和刻蚀工艺占芯片制造时间的40%-50%,占制造成本的30%。在图形转移过程中,一般要对硅片进行十多次光刻。光刻胶需经过硅片清洗、预烘、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影、刻蚀等环节,将掩膜版上的图形转移到衬底上,形成与掩膜版对应的几何图形。

  随着半导体制程由微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级阶段,配套光刻胶的感光波长也由紫外宽谱向g线nm)→i线nm)的方向转移,以达到集成电路更高的密集度,从而满足市场对于半导体小型化、功能多样化的的需求。

  ArF光刻胶占据半导体光刻胶市场四成份额,是目前最重要的半导体光刻胶之一。ArF光刻胶主要用于ArF准分子

  光源的DUV光刻机的光刻工艺当中,感光波长为193nm,可用于130nm-14nm芯片工艺制程(其中干式主要用于130nm-65nm工艺,浸没式主要用于65nm-14nm工艺。),部分晶圆厂甚至可以使用ArF光源做到7nm制程。以中芯国际收入结构为例,在1Q21收入中66%的收入来自ArF光刻胶对应制程,其重要程度可见一斑。目前,KrF光刻胶和g/i线%份额,均是重要的成熟制程光刻胶。KrF光刻胶主要用于KrF激光光源光刻工艺,对应工艺制程在250nm-150nm;而g/i线光刻胶主要用于高压汞灯光源的光刻工艺,对应350nm及以上工艺制程。

  此外,用于极紫外光刻的EUV光刻胶是目前应用制程最先进的光刻胶产品,主要用于7nm及以下先进制程的光刻工艺,该产品目前仍处于应用早期,其市场份额较小且难以统计,不过未来有望成长为光刻胶最核心的细分市场之一。

  日本厂商在半导体光刻胶领域占据绝对主导地位。从整体市场来看,日本企业在光刻胶市场占据七成以上份额,其中JSR株式会社实现了光刻胶产品全覆盖,是全球光刻胶龙头厂商。其他主要厂商包括日本的东京应化、富士电子、信越化学和住友化学,美国的陶氏化学和韩国的东进世美肯等。

  从细分市场来看,日本厂商几乎垄断先进制程市场。在g/i线光刻胶领域,除了日系厂商外,还有韩国东进世美肯和美国杜邦各自占据12%和18%份额。而在KrF领域,主要非日系厂商仅剩美国杜邦,占据11%份额。再到ArF光刻胶市场,美国杜邦份额也仅有4%,这一细分市场几乎被日系厂商垄断。至于目前工艺制程最先进的EUV光刻胶,则更是被JSR和信越化学两家日系厂垄断。

  国内半导体光刻胶企业主要包括晶瑞电材(苏州瑞红)、彤程新材(北京科华)、上海新阳、华懋科技(徐州博康)和南大光电等。国内光刻胶产品主要集中在g/i线市场,而KrF和ArF光刻胶仍处于技术积累和市场开拓期。

  ArF光刻胶方面,五家厂商均已购置了ArF光刻机用于产品研发,目前正处于技术开发或客户验证中。2021年7月初,南大光电自主研发的ArF光刻胶通过客户认证,成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶。未来随着国内光刻胶企业不断在KrF领域拓宽客户,并在ArF市场完成技术布局,国产光刻胶有望实现全面突破。

  光刻工艺同样也是液晶面板制造的核心工艺,通过镀膜、清洗、光刻胶涂覆、曝光、显影、蚀刻等工序,将掩膜版上的图形转移到薄膜上,形成与掩膜板对应的几何图形,从而制得TFT电极与彩色滤光片。面板光刻胶在其中扮演了重要的角色,是LCD产业链上游至关重要的核心材料。

  面板光刻胶主要分为TFT-LCD光刻胶、彩色光刻胶和黑色光刻胶、和触摸屏光刻胶。三类面板光刻胶被应用在LCD制造过程的不同工序中。TFT-LCD光刻胶用于加工液晶面板前段Array制程中的微细图形电极;彩色光刻胶和黑色光刻胶用于制造LCD中的彩色滤光片;触摸屏光刻胶用于制作触摸电极。

  伴随显示产业转移,国内面板光刻胶市场规模快速扩张。从2009年开始,面板产业链逐渐向中国转移。经过十年的快速扩张,中国面板行业后来居上。目前全球前三大液晶面板供应商京东方、华星光电、惠科光电均为中国厂商,中国已经主导液晶显示产业。

  而随着我国面板产能的不断扩张,面板光刻胶作为核心材料,需求量也在不断增加。根据产业信息网的数据,2015-2020年,中国面板光刻胶市场规模由3.07亿美元成长为10.2亿美元,年均复合增速27.14%。尽管国内市场对于LCD光刻胶的需求量不断增长,但我国面板光刻胶生产能力仍严重不足。

  目前面板光刻胶的生产被日韩厂商垄断,以需求最多的彩色光刻胶为例,根据前瞻产业研究院数据,东京应化、LG化学、东洋油墨、住友化学、三菱化学、奇美等日本、韩国和中国台湾企业占据了90%以上的市场份额,我国本土供应能力较弱。

  在LCD光刻胶巨大需求空间的背景下,国内厂商也在积极进行LCD光刻胶的国产化。国内面板光刻胶的主要厂商有北旭电子、晶瑞电材、容大感光、雅克科技、欣奕华等。目前,北旭电子适用于4MASK工艺的Halftone光刻胶实现量产,公司生产的高分辨率光刻胶也已通过客户初步认证,面板用正性光刻机实现全线覆盖。

  飞凯材料TFT-LCD光刻胶已经形成稳定销售,面板用光刻胶业务的大幅提升,2021Q1营收同比增长53%。博砚电子的黑色光刻胶已经完成开发和中试工作,整体技术达到国际先进。雅克科技收购LG化学彩色光刻胶事业部的生产机器设备、存货、知识产权等,掌握了彩色光刻胶和正性光刻胶的制程工艺。

  成本的3%-5%。可分为干膜光刻胶、湿膜光刻胶与光成像阻焊油墨。干膜光刻胶是由液态光刻胶在涂布机上和高清洁度的条件下均匀涂布在载体PET膜上,经烘干、冷却后覆上PE膜,收卷而成的薄膜型光刻胶。湿膜光刻胶的工作原理是将其涂布在敷铜板上,干燥后进行曝光显影。

  湿膜光刻胶的性能优于干膜,目前正在加速替代干膜光刻胶。湿膜具有精度更高,价格更低廉的优势,能够满足PCB高性能的要求。但同时操作难度更高,废液会污染环境。干膜具有附着性强、操作简便,易于加工、环境友好的特点,在处理高密度

  光成像阻焊油墨是在PCB的制造过程中起阻焊作用的油墨,能够防止焊锡搭线造成的短路,可保证印刷电路板在制作、运输、贮存、使用时的安全性、电性能不变性。

  凭借我国在劳动力和资源等方面的优势,21世纪以来,PCB产业开始向国内转移,国内厂商逐步掌握了PCB上游关键原材料的核心技术,有效降低了成本,大幅提升了产能。据中商产业研究院估计,2019年全球印制电路板产值约637亿美元,我国PCB市场规模达到329.4亿美元,占全球市场的份额超过50%,是全球最大的PCB生产国。预计在2021年产值能达到370.5亿美元。同时,2000-2019年间,日本、美国和欧洲产能所占份额从70%降至7%。

  我国目前已经成为世界PCB产业链的主导者,而作为PCB的关键原材料之一,PCB光刻胶的需求也在不断增加。根据产业信息网的预估,2020年我国PCB光刻胶的市场规模为85亿元,随着PCB向更高的精度发展,市场对PCB光刻胶的质量将会有更高的要求。

  虽然我国拥有全球近一半的PCB产能,但PCB光刻胶市场仍然是日本主导。根据前瞻产业研究院的测算,台湾长兴化学、日本旭化成、日本日立化成三家企业就占据了干膜光刻胶超80%的市场份额。根据产业信息网的数据,在光成像阻焊油墨方面,仅日本一家企业太阳油墨就占据了60%的世界市场份额。

  根据中商产业研究院数据,我国PCB光刻胶国产化率约50%。由于PCB光刻胶的技术壁垒远低于LCD光刻机和半导体光刻胶,因此在三类光刻胶中,PCB光刻胶的国产替代进程最快。中国内资企业已在国内PCB市场中占据50%以上的市场份额。在我国PCB光刻胶生产企业中,本土企业占六成。

  国内市场研发进程加速。目前,容大感光、广信材料、东方材料、北京力拓达等内资企业已占据国内50%左右的湿膜光刻胶和光成像阻焊油墨市场份额。国内企业中,飞凯材料、容大感光、广信材料等已有相应PCB光刻胶产品投产。广信材料公司年产8000吨感光材料为PCB油墨系列产品已经生产爬坡。

  容大感光的车载PCB用阻焊油墨,已经成功应用于多个知名品牌的汽车上,目前年销售量在100吨以上,后续会加大研发投入,并积极进行市场推广。

  在光刻胶产业最核心的半导体光刻胶领域,目前国产替代趋势正愈演愈烈,除了下游厂商从供应链安全角度扶持国产光刻胶以及国家政策支持等因素外,还有国内外晶圆厂扩产潮带来的需求爆发和认证窗口期。再加之全球光刻胶巨头信越化学受地震影响而减产,断供了部分中小晶圆厂,进一步加剧了半导体光刻胶产品短缺,也为国内光刻胶企业提供了宝贵的替代窗口期。

  通讯、新能源汽车、高性能计算、线上服务和自动化等对半导体日益增长的强劲需求,世界各大半导体制造商将在未来两年分别新建19座和10座高容量晶圆厂。中国大陆和中国台湾在未来两年将分别建立8座晶圆厂,美国新建6座。这29座晶圆建成后将新增260万片/月的晶圆产能,有望拉动全球半导体光刻胶市场规模继续高速成长。

  国内晶圆厂建设火热进行,光刻胶进入认证窗口期。随着中美贸易冲突以来,国内对芯片行业的重视程度越来越高,中国大陆半导体制造商正加速扩产。例如长江存储和紫光国微的在建产线万片的新增产能。中芯国际目前有三条产线万片/月的在建产线万片的规划产线、待投产后每月将各多释放20万片新产能。截止2021年8月,国内主要晶圆厂计划扩充的产能约468.48万片/月(折8英寸),仅2021年预计新增的产能就有约75.58万片/月(折8英寸)。

  中国大陆的晶圆厂产能扩张将大幅拉动国产光刻胶的市场需求。同时,相较于稳定产线,光刻胶产品在新建产线的客户导入难度更低,因此国产光刻胶企业有望伴随下游晶圆厂建设,而一同进入行业发展黄金时期。

  日本地震导致信越化学光刻胶减产,断供缺口打开国产替代窗口期。2021年2月13日,日本福岛东部海域发生7.3级地震,日本光刻胶大厂信越化学在当地的KrF产线遭到破坏被迫暂停生产。因此其向中国大陆多家晶圆厂限制供货KrF光刻胶,并向小规模晶圆厂通知停止供货KrF光刻胶。

  由于日本信越化学占据世界22%左右的KrF光刻胶市场份额。因此,信越减产将使得KrF光刻胶供应存在较大的缺口,对于国产企业而言是宝贵的替代机遇。

  意外事件有望加速国产光刻胶验证。国产光刻胶经历多年发展已经形成了较为丰富的技术积累,目前多家国内厂商的KrF、ArF光刻胶已经处于产品验证中,如北京科华、上海新阳和徐州博康的ArF干法光刻胶和晶瑞电材的KrF光刻胶等等。而此次信越意外断供无疑加剧了光刻胶短缺,也间接推动了国产光刻胶验证加速。

  大基金加码光刻胶厂商彰显信心。2021年7月,南大光电控股子公司宁波南大广电拟通过增资扩股方式引入战略投资者大基金二期。大基金二期将以1.83亿元认购南大光电新增注册资本0.67亿元。大基金二期入股宁波南大广电,不仅能够扩充企业的资金实力,同时也将进一步增强企业与国内半导体设备、芯片制造头部企业的协同,从而加快光刻胶业务的发展,改变国内高端光刻胶受制于人的现状。

  目前,在半导体光刻胶领域,国内厂商在技术实力、市场影响力、份额占比等方面仍落后于日韩领先企业。不过,在晶圆厂扩产潮以及半导体国产化如火如荼的趋势下,中国光刻胶厂商迎来了绝佳的发展机遇期。目前已有部分领先企业,如晶瑞电材、北京科华等,开始崭露头角,在KrF、ArF等高端光刻胶领域实现从零到一的突破。中国光刻胶产业有望步入快速成长期。

  晶瑞电材是一家微电子材料的平台型高新技术企业,其围绕泛半导体材料和新能源材料两大方向,主要产品包括光刻胶及配套材料、超净高纯试剂、锂电池材料和基础化工材料等,广泛应用于半导体、新能源、基础化工等行业。

  子公司苏州瑞红深耕光刻胶近30年,产品类型丰富。晶瑞电材子公司苏州瑞红1993年开始光刻胶生产,承担并完成了国家02专项“i线光刻胶产品开发及产业化”项目。公司近30年致力于光刻胶产品的研发和生产,光刻胶产品类型覆盖高中低分辨率的I线、G线紫外正性光刻胶、环化橡胶型负性光刻胶、化学增幅型光刻胶、厚膜光刻胶等类型,应用行业涵盖IC、TFT-array、

  半导体光刻胶方面,公司g线、i线产品已实现量产,客户覆盖国内一流厂商。苏州瑞红完成了多款g线、i线光刻胶产品技术开发工作,并实现销售。取得中芯国际、扬杰科技、福顺微电子等国内企业的供货订单,并在士兰微、吉林华微、深圳方正等知名半导体厂进行测试。目前公司正不断扩大g/i线光刻胶的市场占有率。

  同时,公司持续推进KrF/ArF深紫外线光刻胶科研攻关。目前,KrF(248nm深紫外)光刻胶已完成中试,产品分辨率达到了0.25~0.13µm的技术要求,建成了中试示范线Gi型光刻机设备,ArF高端光刻胶研发工作正式启动,旨在研发满足90-28nm芯片制程的ArF(193nm)光刻胶。

  LCD光刻胶方面,公司2016年与日本三菱化学株式会社在苏州设立了LCD用彩色光刻胶共同研究所,为三菱化学的彩色光刻胶在国内的检测以及中国国内客户评定检测服务,并于2019年开始批量生产供应显示面板厂家。

  公司持续投入研发资源,引进高端技术人才。2020年公司研发投入为3,384.70万元,占营业收入的3.31%,研发人员增长至96人,占员工比例的16.6%。截至2020年底,公司及控股子公司已获授权专利70项,其中发明专利43项,实用新型专利27项,其中光刻胶相关的已获授权发明专利17项。

  公司重视高端技术人才的引进,近期邀请陈韦帆先生担任光刻胶事业部总经理职务。陈韦帆先生深耕半导体行业近20年,曾先后履职力晶、日月光、友达光电、美光(台湾)、TOK等知名半导体企业,尤其在高端光刻胶产品的技术研发、市场开拓及评价实施上拥有丰富的经验。此次陈韦帆先生的加入将会大力提高公司在高端光刻胶的研发及市场推广的速度。

  随着我国芯片制造行业国产替代进程加速,2020年公司核心产品光刻胶及配套材料的销售取得

  最好成绩,全年实现销售1.79亿元,同比增长16.98%。与此同时,光刻胶业务在公司营业收入中的占比也得到显著提升,2020年达到17.52%。

  北京科华是上市公司彤程新材的控股子公司,其56.56%的股权由彤程新材持有。北京科华是一家专注于光刻胶及配套试剂的高新技术企业,集先进光刻胶研发、生产和销售为一体。

  自2004年成立以来,承担了多项国家级光刻胶重点研发及产业化项目。公司产品序列完整,覆盖KrF(248nm)、I-line、G-line、紫外宽谱光刻胶。目前,集成电路用高分辨G线正胶、I线nm深紫外光刻胶已实现产线建设和量产出货。其产品已广泛应用于集成电路、

  、分立器件、先进封装等领域。公司凭借先进的技术水平和稳定的产品质量,已经成为行业顶尖客户的稳定合作伙伴。公司主要客户包括中芯国际、上海华力微电子、长江存储、华润上华、杭州士兰、吉林华微电子、三安光电、华灿光电等。伴随产品线拓展及客户导入,公司收入规模逐年提升。2016-2020年,公司营收由5613万元增至8929万元,年均复合增速12%。2021年上半年,伴随国产替代加速以及行业景气上行,公司收入规模进入高速成长期,实现营收5647.83万元,同比增长46.74%。此外,公司积极加大研发投入,助力高端光刻胶产品开发。2018-2020年的研发支出分别为934万、2018万和3780万元,占收入比例约四成。

  北京科华技术团队研发实力雄厚,创始人陈昕带领的国际化团队从事光刻胶行业近三十年,拥有多名光刻胶专家,具备原材料合成、配方以及相关基础评价能力。同时公司分析和应用测试设备平台较为完备。公司拥有分辨率达到0.11um的ASMLPAS5500/850扫描式曝光机、Nikon步进式曝光机、

  LACT8涂胶显影一体机和HitachiS9220CDSEM等主流设备。完备的支持产品研发和出厂检验的分析和应用测试平台保障了公司在KrF、G/I线光刻胶产品及关键原料的顺利进展。

  公司产品线完整且丰富,覆盖KrF(248nm)、G/I线(含宽谱)等主流品类,主要包括KrF光刻胶DK1080、DK2000、DK3000系列;g-iline光刻胶KMPC5000、KMPC7000、KMPC8000、KMPEP3100系列和KMPEP3200A系列;Lift-off工艺使用的负胶KMPE3000系列;用于分立器件的BN、BP系列等。为保障生产,科华建设了高档光刻胶生产基地,具有百吨级环化橡胶系紫外负性光刻胶和千吨级负性光刻胶配套试剂生产线、G/I线吨/年)和正胶配套试剂生产线nm光刻胶生产线等多条光刻胶产线。

  同时公司ArF光刻胶树脂也已进入实验研发阶段。2021年8月,公司使用自筹资金6.98亿元投资建设“ArF高端光刻胶研发平台建设项目”,主要研究ArF湿法光刻胶工业化生产技术开发,通过建立标准化的生产及控制流程,提升高端光刻胶的质量控制水平,实现193nm湿法光刻胶量产生产。项目预计于2023年末建设完成。

  上海新阳是一家半导体用电子化学品及配套设备制造商。在半导体封装材料领域,公司的功能性化学材料销量与市占率位居全国第一。在半导体制造材料领域,公司的芯片铜互连电镀液及添加剂、蚀刻后清洗液已实现大规模产业化。此外,公司积极布局高端半导体光刻胶,在ArF干法、KrF厚膜胶以及I线光刻胶领域均有重大突破。

  公司重视研发投入,研发费用及研发人员数量逐年增加。截至2020年底,公司研发团队共有161人,占公司员工总数的26.35%。在半导体业务技术开发团队中,95%人员为本科以上学历,20%为硕士研究生以上学历,近30%的技术人员有10年以上行业经验。公司2020年研发投入总额8,027.46万元,占全年营业收入的比重为11.57%,其中半导体业务研发投入占半导体业务的比重为20.60%。

  截至2020年底,公司已申请专利275项,其中发明专利139项。集成电路制造用高端光刻胶项目是2020年内公司研发投入的重点项目之一。

  公司稳步推进光刻胶项目,部分产品已取得优异的线外测试数据。公司目前正在开发的集成电路制造用高端光刻胶产品包括逻辑和模拟芯片制造用的I线光刻胶、KrF光刻胶、ArF干法光刻胶,存储芯片制造用的KrF厚膜光刻胶,以及底部抗反射膜(BARC)等配套材料。

  公司集成电路制造用ArF干法、KrF厚膜等中试光刻胶产品已取得优异的客户端测试结果,其中,KrF(248nm)厚膜光刻胶产品已通过客户认证,并成功取得第一笔订单。此外,子公司芯刻微开展的ArF湿法光刻胶项目研发已引进了核心技术专家团队,为ArF湿法光刻胶项目的开发提供了技术保障。

  的用于I线光刻胶研发的Nikon-i14型光刻机,用于KrF光刻胶研发的Nikon-205C型光刻机,用于ArF干法光刻胶研发的ASML-1400型光刻机,以及用于ArF浸没式光刻胶研发的ASMLXT1900Gi型光刻机已全部到厂。公司光刻机设备的陆续到位运转,为公司集成电路制造用全产业链光刻胶产品的开发提供了必要保障。此外,公司于2020年定增募资8.15亿元投入集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目,主要开发集成电路制造中ArF干法工艺使用的光刻胶和面向3DNAND(闪存,属于非易失性

  )台阶刻蚀的KrF厚膜光刻胶产品。公司预计KrF厚膜光刻胶2022年可实现稳定量产销售,ArF(干式)光刻胶在2023年开始稳定量产销售。本项目研发成功后,公司将掌握包括原料纯化工艺、配方工艺和生产工艺在内的、具有完整知识产权的ArF干法光刻胶和KrF厚膜光刻胶的规模化生产技术,可实现两大类光刻胶产品及配套试剂的量产供货。

  华懋科技是一家专注于汽车安全领域的系统部件提供商,产品线覆盖汽车安全气囊布、安全气囊袋以及安全带等被动安全系统部件,国内市场占有率位居前列。公司在夯实汽车板块业务的同时,通过参与设立产业基金的形式,逐步布局更具成长性以及技术壁垒的半导体光刻胶行业,延伸公司产业链条。

  子公司增资徐州博康,切入光刻胶领域。华懋科技控股子公司东阳凯阳2020年向徐州博康增资3000万元,并向徐州博康实控人傅志伟提供5.5亿元的可转股借款和2.2亿元的投资款。华懋科技通过此举合计持有徐州博康26.7%股权,从而实现了对半导体关键材料光刻胶领域的布局。

  徐州博康是国内光刻胶领域领先企业,拥有光刻胶原材料到成品的完整产业链布局。徐州博康成立于2010年,是国内领先的电子化学品高新技术企业,从事光刻材料领域中的中高端化学品的研发、生产、销售。公司光刻胶供应链实现了从单体、光刻胶专用树脂、光酸剂及终产品光刻胶的完整布局,其单体产品客户涵盖

  、JSR等半导体材料龙头厂商。在研发实力方面,徐州博康拥有专业的研发团队和先进的研发设备,并与国内多个集成电路专业平台开展合作。徐州博康在松江漕河泾科技绿洲设有5000平方米的国际标准研发

  ,拥有研发团队200余人,其中博士和硕士占比50%以上。公司已配置KrFNikonS204、I9、I12,ACT8track、日立CDSEM等先进光刻检测设备,以及其它理化检测设备如ICP-MS、HPLC、GC、IR等。同时,公司193nm光刻胶单体研发项目取得了国家“02专项”子课题立项。此外,公司与国内多个集成电路专业平台进行合作,包括中科院微电子所、复旦大学微电子学院等平台或企业。

  徐州博康光刻胶产品类型丰富,可覆盖多种应用领域。公司目前已成功开发出40余种中高端光刻胶产品系列,包括KrF/ArF光刻胶单体、KrF/ArF光刻胶、G线/I线光刻胶、电子束光刻胶及GHI超厚负胶等产品类型,覆盖IC集成电路制造、IC后段封装、化合物半导体、分立器件、电子束等多种应用领域。

  徐州博康通过新建生产基地,进一步提升光刻胶产能。徐州博康目前正在新建生产基地,该项目完全建成投产后将拥有年产1100吨光刻材料及10000吨电子级溶剂的总产能,可实现年产值20亿元,有望成为中国目前产品最齐全、技术水平最高的光刻胶材料研发制造基地之一。

  南大光电是一家专业从事高纯电子材料研发、生产和销售的高新技术企业,通过承担国家重大技术攻关项目并实现产业化,公司已经从多个层面打破了所在行业内的国外长期垄断,前驱体、电子特气、光刻胶三大关键半导体材料的布局基本形成。

  公司光刻胶技术研发始终坚持完全自主化路线,公司正在自主研发和产业化的ArF光刻胶(包含干式及浸没式)可以达到90nm-14nm的集成电路工艺节点。2017及2018年,公司分别获得国家02专项“高分辨率光刻胶与先进封装光刻胶产品关键技术研发项目”和“ArF光刻胶产品的开发和产业化项目”的正式立项。

  为此,公司组建了以高端光刻胶专业人才为核心的独立研发团队,建成了约1,500平方米的研发中心和百升级光刻胶中试生产线,开发出多款树脂、光敏剂、单体,创新并不断优化提纯工艺,研究出193nm光刻胶的配方,产品研发进展和成果得到业界专家的认可。

  ArF光刻胶产业化项目进展顺利,产品再次通过客户认证。公司目前已完成2条光刻胶生产线建设,主要先进光刻设备,如ASML浸没式光刻机等已经完成安装并投入使用。控股子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶产品继2020年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后,近日又在

  制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破,成为国内首个通过下游客户验证的国产ArF光刻胶产品。在长期的发展过程中,公司形成了较为完备的研发设计体系,通过逐年加大科研力度,技术实力得到不断增强。2020年,公司研发投入总额为2.32亿元,占营业收入的比例为38.98%。研发投入同比增长247.54%,主要是“ArF光刻胶产品的开发和产业化”项目增加投入所致。同时,公司研发人员数量逐年增加,截至2020年底,公司拥有研发人员136人,占公司总人数的比例为19%左右。科研力度的加大,使得公司技术实力及自主创新能力得到不断增强。截至2020年底,公司及主要子公司自主开发的专利共计79项,其中发明专利21项,实用新型专利58项。

  公司2021年拟通过定增募资1.5亿元用于ArF光刻胶技术开发及产业化项目。项目计划到2021年底,公司将达到年产25吨193nm(ArF干式和浸没式)光刻胶产品的生产规模,产品性能满足90nm-14nm集成电路制造的要求。同时,计划建立国内第一个专业用于ArF光刻胶产品开发的检测评估平台,满足先进光刻胶产品和技术开发的需求。公司欲通过此次定增项目实现高端光刻胶生产的完全国产化和量产零的突破,提升我国高端光刻胶这一领域的自主水平。

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  X-NUCLEO-NFC06A1 X-NUCLEO-NFC06A1NFC读卡器扩展板基于ST25R3916的STM32和STM8核苷

  NFC读卡器IC:ST25R3916 47毫米x 34英寸毫米,四匝,13.56MHz的电感在PCB和相关联的调谐电路 6个通用的LED ISO 18092的无源和有源引发剂,ISO 18092的被动和主动目标 NFC-A和NFC-F卡模拟 ISO 14443A和ISO14443B ISO 15693 的FeliCa™ 最多1.7 W的输出功率与差天线 在X-细胞核 - NFC06A1 NFC读卡器扩展板是基于ST25R3916设备上。

  X-NUCLEO-NFC05A1 X-NUCLEO-NFC05A1NFC读卡器扩展板基于ST25R3911B的STM32和STM8核苷

  NFC读卡器IC:ST25R3911B 47毫米x 34英寸毫米,四匝,13.56MHz的电感在PCB和相关联的调谐电路 6个通用的LED ISO 18092(NFCIP-1)活性的P2P ISO 14443A和ISO14443B ISO 15693 的FeliCa ™ VHBR 6.8 Mbit / s的AFE和PCD到PICC成帧 3.4 Mbit / s的PICC向PCD成帧 最多1.4 W的输出功率与差天线 的X细胞核 - NFC05A1是基于所述ST25R3911B的NFC读卡器扩展板。

  是一款150 mA超低压差稳压器,可为功耗敏感的应用提供出色的电压精度和干净的输出电压。 NCP140非常适合电池供电的应用,因为它具有非常低的静态电流,在禁用模式下几乎为零电流。该器件具有或不具有输出电容器,并且可以最小化占位面积和BOM。 XDFN4软件包经过优化,适用于空间受限的应用程序。 特性 优势 无盖设计 节省PCB面积和成本 使用任何类型的电容器稳定 简单设计 工作输入电压范围:1.6 V至5.5 V 非常适合电池供电的应用 热关断和限流保护 坚固的设计和高可靠性 +/- 1%典型的Vout准确度 功率敏感设备的精确Vout 提供两个XDFN4软件包 ...

  NB7VPQ16M 预加重铜缆/电缆驱动器 12.5 Gbps 可编程 1.8 V / 2.5 V 带可选均衡器接收器

  16M是一款高性能单通道可编程预加重CML驱动器,带有均衡器接收器,信号增强器,采用1.8 V或2.5 V电源,工作速率高达12.5 Gbps。当与数据/时钟路径串联时,NB7VPQ16M输入将补偿通过FR4 PCB背板或电缆互连传输的降级信号。因此,通过减少铜互连或长电缆损耗引起的符号间干扰ISI来提高串行数据速率。预加重缓冲器通过串行总线通过SDIN,串行数据输入和SCLKI​​N,串行时钟输入,控制输入进行控制,并包含提供16个可编程预加重设置的电路,以选择最佳输出补偿电平。这些可选输出电平将处理各种背板长度和电缆线dB的去加重。对于级联应用,移位的SDIN和SCLKI​​N信号显示在SDOUT和SCLKOUT引脚上。串行数据位的第5位LSB允许启用接收器的均衡功能。差分数据/时钟输入通过VT引脚包含一对内部50欧姆端接电阻,采用100欧姆中心抽头配置,可接受LVPECL,CML或LVDS逻辑电平。此功能在接收器端提供片上传输线端接,消除了外部元件。 特性 最大输入数据速率

  12.5 Gbps 最大输入时钟频率

  60是一款低成本,低功耗,高精度LDO稳压器。该器件在3.3 V固定输出电压下提供高达20 mA的输出电流,具有出色的稳压特性,是精密稳压器应用的理想选择。它设计为在没有输出电容的情况下稳定。当快速上升时间和PCB空间受到关注时,这是一个重要特性。保护功能包括短路电流和反向电压保护。 SCP51460采用3引脚表面贴装SOT-23封装。电路图、引脚图和封装图

  28DP1XGTBG是一个系统LSI,集成了片上32位DSP,FLASH ROM和外围设备,包括用于OIS(光学图像稳定)/开放式AF(自动聚焦)控制的模拟电路,恒流驱动器 特性 优势 片上DSP 数字伺服滤波器,陀螺滤波器,4轴OIS软件 小尺寸/超薄芯片 易于放置在小型PCB上 应用 终端产品 OIS相机模块 智能手机 平板电脑 电路图、引脚图和封装图

  30是一款700 V高侧和低侧驱动器,具有高驱动能力,适用于AC-DC电源和逆变器。 NCP51530在高工作频率下提供同类最佳的传播延迟,低静态电流和低开关电流。因此,该器件可为高频工作的电源提供高效设计。 NCP51530采用SOIC8和DFN10封装。 特性 优势 高压范围:高达700 V AC / DC设计的设计余量 传播延迟非常快(B版本为25 ns) ) 适合高频操作 匹配传播延迟(最大7 ns) 提高效率允许并联 高达50 V / ns的高dv / dt抗扰度和负瞬态抗扰度 非常稳健的设计 DFN10封装,具有优化的引脚输出 小PCB占位面积,改善的爬电距离和寄生 快速上升和下降时间(最长15 ns) 适合重载 应用 终端产品 半满和满-bridge Converters 有源钳位反激式适配器 电机控制电源 服务器,电信和工业用电源 电动助力转向 太阳能逆变器 电路图、引脚图和封装图...

  6是一款极低压降稳压器,可提供高达1 A的负载电流,并在-40至85°C范围内保持1.0%的出色输出电压精度。工作输入电压范围为1.8 V至5.5 V,使该器件适用于锂离子电池供电的产品以及后调节应用。该产品提供多种固定输出电压选项,其他产品可根据要求提供,范围为1.2 V至3.9 V.NCP186具有完全的过热保护和输出短路保护。启用功能。小型8针DFN8 2 mm x 2 mm封装使该器件特别适用于空间受限的应用。 特性 优势 1.8 V至5.5 V工作输入电压范围 适用于锂离子电池或后期调节应用 根据要求提供多种固定输出电压选项和其他选项,范围为1.2 V至3.9 V 设计灵活性 Typ的低静态电流。 90μA 延长电池寿命 极低压差:100 mV典型值。在Iout = 1 A(3.0V版本) 扩展电池范围 1 kHz PSRR时高75 dB 适用于噪声敏感电路 内部软启动 限制浪涌电流 在-40至85℃温度范围内的±1.0%精度 高输出电压精度 热关断和限流保护 保护产品和系统免受损坏 使用小型1μF陶瓷电容器稳定 节省PCB空间和系统成本 应用 终端产品 电池供电设备 便携...

  00是1 A低压差线性稳压器(LDO)系列,提供高电源纹波抑制(PSRR)和超低输出噪声。该系列LDO采用先进的BiCMOS工艺实现了非常好的电气性能。它是电信设备中使用的噪声敏感模拟RF前端的理想选择。 NCV59800采用3 mm x 3 mmDFN8封装。 特性 优势 2.2 V至5.5 V工作输入电压范围 适用于锂离子电池或后期调节应用 低典型静态电流。 60μA 延长电池寿命 极低压差:200 mV典型值。在Iout = 1 A(Vout = 2.5 V) 扩展电池范围 极低噪音,15μVrms/ V通常 适用于噪音敏感的应用程序 可调软启动 限制浪涌电流 线%。负载和温度范围 高输出电压精度 热关断和电流限制保护 保护产品和损坏的系统 使用4.7μF陶瓷输出电容稳定 节省PCB空间和系统成本 应用 终端产品 电信基础设施 汽车信息娱乐系统 高速I / F(PLL / VCO) 电信设备 网络设备 工业控制 电路图、引脚图和封装图...

  5C是一款单片集成低压差稳压器,输出电流能力为30 mA,采用TSOP-5封装。输出电压精确度在±4.0%以内,最大压差为250 mV,输入电压高达45 V.低静态电流通常在1 mA负载下仅消耗160μA电流。在输出欠压的情况下,电源故障输出被驱动为低电平。该器件非常适用于汽车和所有电池供电的微处理器设备。调节器具有防止电池反接,短路和热过载的条件。 特性 优势 极低压差65 mV(典型值)。 (最大250 mV),20 mA负载电流 在起动过程中以较低的输入电压运行。 电源故障输出 关于稳压器输出欠压,PCB上没有外部上拉电阻的即时信息 保护: 60 V瞬态输入电压反极性和反向偏压保护电流限制热关断 适用于恶劣的汽车环境。 3.3 V,5.0 V,±4%输出电压精度,在整个温度范围内,最高30 mA AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 汽车通用 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  L是一款高性能5 mA低压差(LDO)线性稳压器,提供非常宽的工作输入电压范围,最高工作电压为450 V DC,最大工作电压为700 V DC。它是高输入电压应用的理想选择,如工业和家庭自动化,智能计量,家用电器。 NCP786L提供±5%的输出电压精度,极高的电源抑制比和10μA的超低静态电流。 NCP786L非常适合恶劣的环境条件。 NCP786L提供可调电压调节器,输出电压范围为1.27 V至15 V. SOT-223封装提供可接受的热性能和较小的PCB尺寸。 特性 优势 工作输入电压:高达450 VDC 允许直接交流电源连接 PSRR:60 Hz时70 dB 有效降低输入纹波 静态电流:典型值10μA 大大降低空载功耗 SOT-223软件包 非常适合空间受限的应用程序 应用 终...

  A是一款高性能

  10mA线V DC最大工作输入电压范围。它是工业和家庭自动化等高输入电压应用的理想选择,智能电表,家电。 NCP785A提供±5%的输出电压精度,极高的电源抑制比和典型的超低静态电流。 15μA。 NCP785A非常适合恶劣的环境条件.NCP785A提供固定输出电压:3.3 V,5.0 V,12 V,15 V.SOT-89封装提供良好的散热性能和非常小的PCB尺寸。 特性 优势 工作输入电压:高达450 VDC 允许直接交流电源连接 PSRR:120 Hz时为80 dB 有效降低输入纹波 静态电流:15μA典型值 大大降低空载功耗 SOT89包 非常适合空间受限的应用 应用 终端产品 工业,家庭自动化,白色家电,照明 低功耗MCU应用电源 尺寸更小,无负载高效替代电容式滴管 断路器 烟雾传感器 家用电器 智能电表 电路图、引脚图和封装图...

  NCP4688 LDO稳压器 150 mA 低压差 高PSRR 低噪声

  8是一款CMOS 150mA LDO线性稳压器,具有高输出电压精度,具有低噪声输出电压和高纹波抑制性能。低输出噪声电平10uVrms通常保持在任何输出电压。非常常见的SOT23-5封装和小型uDFN 1x1封装适用于工业应用,便携式通信设备和RF模块。 特性 优势 非常高的80 dB PSRR 非常好的噪音消除装置 非常小的包装1x1mm 非常浓缩的PCB的想法 应用 家用电器,工业设备 有线电视盒,,娱乐系统 汽车音响设备,导航系统 笔记本电脑适配器,液晶电视,无线电话和专用局域网系统 电路图、引脚图和封装图...

  NCP59800 LDO稳压器 1 A 低压差 低Iq 低噪声 带使能

  00是1 A低压差线性稳压器(LDO)系列,提供高电源纹波抑制(PSRR)和超低输出噪声。该系列LDO采用先进的BiCMOS工艺实现了非常好的电气性能。它是电信设备中使用的噪声敏感模拟RF前端的理想选择。 NCP59800采用3 mm x 3 mmDFN8封装。 特性 优势 2.2 V至6.0 V工作输入电压范围 适用于锂离子电池或后期调节应用 低典型静态电流。 60μA 延长电池寿命 极低压差:200 mV典型值。在Iout = 1 A(Vout = 2.5 V) 扩展电池范围 极低噪音,15μVrms/ V通常 适用于噪音敏感的应用程序 可调软启动 限制浪涌电流 线%。负载和温度范围 高输出电压精度 热关断和电流限制保护 保护产品和损坏的系统 使用4.7μF陶瓷输出电容稳定 节省PCB空间和系统成本 应用 终端产品 电信基础设施 音频 高速I / F(PLL / VCO) 电信设备 工业控制 网络设备 电路图、引脚图和封装图...

  是一款超低压降稳压器,可提供高达0.5 A的负载电流,并在25°C时保持0.8%的出色输出电压精度。 1.6 V至5.5 V的工作输入电压范围使该器件适用于锂离子电池供电产品以及后调节应用。该产品提供多种固定输出电压选项,其他产品可根据要求提供,范围为0.7 V至3.6 V.NCP177可完全防止过热和输出短路。启用功能。小型4引脚XDFN4 1.0 mm x 1.0 mm封装使该器件特别适用于空间受限的应用。 特性 优势 1.6 V至5.5 V工作输入电压范围 适用于锂离子电池或后期调节应用 根据要求提供多种固定输出电压选项和其他选项,范围为0.7 V至3.6 V 设计灵活性 Typ的低静态电流。 60μA 延长电池寿命 极低压差:200 mV典型值。在Iout = 0.5 A(1.8V版本) 扩展电池范围 1 kHz PSRR时高75 dB 适用于噪声敏感电路 内部软启动 限制浪涌电流 室温下±0.8%精度 高输出电压精度 热关断和限流保护 保护产品和系统免受损坏 使用小型1μF陶瓷电容器稳定 节省PCB空间和系统成本 应用 终端产品 电池供电设备 便携式通信设备 相机,图像传感器...

  1是一款高效率,宽输入,高输出电流,同步脉冲宽度调制(PWM)降压稳压器,采用2.7 V至18 V电源供电。该器件能够产生低至0.8 V的输出电压.NCP3101可通过内部设置的275 kHz振荡器驱动的MOSFET开关连续输出6 A电流。 40引脚器件提供最佳集成度,以减小电源的尺寸和成本。 NCP3101还集成了外部补偿跨导误差放大器和电容可编程软启动功能。保护功能包括可编程短路保护和欠压锁定(UVLO)。 NCP3101采用40引脚QFN封装。还提供10A版NCP3102。 NCP3101将被NCP3101C替换为每PCN#16498 特性 优势 集成6A开关稳压器 提高功率密度,简化系统级集成 0.8 V +/- 1%内部参考 提高系统级精度 电阻可编程电流限制 优化应用程序的系统保护 275 kHz固定频率操作 效率高(效率

  92%) 6x6 mm QFN封装 减少PCB占位面积和电路板空间需要实施 电容可编程软启动 用于软启动时间可调性的外部电容器 18 mohm内部HS和LS FET 高效运作 2.7 V至18 V电源 宽输入电压范围 应用 终端产品 高功率密度dc-dc 嵌入式...

  NCP6924 6通道电源管理IC(PMIC) 带有2个DC-DC转换器和4个LDO

  4是安森美半导体迷你电源管理IC系列的一部分。它经过优化,可提供电池供电的便携式应用子系统,如相机模块,微处理器或任何外围设备。该器件集成了两个高效1000 mA降压DC-DC转换器,带有DVS(动态电压调节)和四个低压差(LDO)稳压器,采用WLCSP-30 2.46 x 2.06mm封装。 特性 优势 非常小的封装2.46 x 2.06 mm 减少PCB空间 超低静态电流(典型值105 uA) 节省电池寿命 I 2 C可访问的先前启用设备允许在启动系统之前更改设置 提供设计灵活性 两个DC-DC转换器,效率95%,可编程输出电压0.6 V至3.3 V,12.5 mV步进,1000 mA输出电流能力 四个低噪声,低压差稳压器,可编程输出电压1.0 V至3.3 V,50 mV步进,2 x 150 mA和2 x 300mA输出电流能力,50 uVrms典型低输出噪声 应用 终端产品 电池供电的应用电源管理 核心电压低的处理器的电源 相机模块 外围子系统 USB供电设备 智能手机 平板电脑 可穿戴设备 MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...

  7是CMOS LDO稳压器,具有500 mA输出电流。输入电压低至1.6 V,输出电压可设置为0.75 V.它提供非常稳定和精确的电压,具有低噪声和高电源抑制比(PSRR),适用于RF应用。 NCV8177适用于为汽车信息娱乐系统和其他功率敏感设备的RF模块供电。由于功耗低,NCV8177具有高效率和低散热性。小型4引脚XDFN4 1.0 mm x 1.0 mm封装使该器件特别适用于空间受限的应用。 特性 优势 1.6 V至5.5 V工作输入电压范围 适用于锂离子电池或后期调节应用 根据要求提供多种固定输出电压选项和其他选项,范围为0.7 V至3.6 V 设计灵活性 Typ的低静态电流。 60μA 延长电池寿命 极低压差:200 mV典型值。在Iout = 0.5 A(1.8V版本) 扩展电池范围 1 kHz PSRR时高75 dB 适用于噪声敏感电路 内部软启动 限制浪涌电流 室温下±0.8%精度 高输出电压精度 热关断和限流保护 保护产品和系统免受损坏 使用小型1μF陶瓷电容器稳定 节省PCB空间和系统成本 应用 终端产品 灯光 仪器设备 相机,摄像机,Se nsors 相机 摄...

  是一款超低压降稳压器,可提供高达1 A的负载电流,并在-40至85℃范围内保持1.0%的出色输出电压精度。工作输入电压范围为1.8 V至5.5 V,使该器件适用于锂离子电池供电的产品以及后调节应用。该产品提供多种固定输出电压选项,其他产品可根据要求提供,范围为1.2 V至3.9 V.NCP186具有完全的过热保护和输出短路保护。小型8引脚XDFN6 1.2 mm x 1.6 mm封装使该器件成为可能特别适用于空间受限的应用。 特性 优势 1.8 V至5.5 V工作输入电压范围 适用于锂离子电池或后期调节应用 多种固定输出电压选项及其他可根据要求提供1.2 V至3.9 V 设计灵活性 Typ的低静态电流。 90μA 延长电池寿命 极低压差:100 mV典型值。在Iout = 1 A(3.0V版本) 扩展电池范围 1 kHz PSRR时高75 dB 适用于噪声敏感电路 内部软启动 限制浪涌电流 在-40至85℃温度范围内的±1.0%精度 高输出电压精度 热关断和限流保护 保护产品和系统免受损坏 使用小型1μF陶瓷电容器稳定 节省PCB空间和系统成本 应用 终端产品 电池供电设备 便携式通讯设...

  NCP176 LDO稳压器 500 mA 超低压降 高PSRR 带使能

  是一款超低压差稳压器,可提供高达0.5 A的负载电流,并在25°C时保持0.8%的出色输出电压精度。工作输入电压范围为1.4 V至5.5 V,使该器件适用于锂离子电池供电产品以及后调节应用。该产品提供3.3 V固定输出电压选项,其他电压选项可根据要求提供,范围为0.7 V至3.6 V.NCP176具有完全的过热保护和输出短路保护。小型6引脚XDFN6 1.2 mm x 1.2 mm封装使该设备特别适用于空间受限的应用程序。 特性 优势 1.4 V至5.5 V工作输入电压范围 适用于锂离子电池或后调节应用 几种固定输出电压可根据要求提供的选项和其他选项范围为0.7 V至3.6 V 设计灵活性 Typ的低静态电流。 60μA 延长电池寿命 极低压降:130 mV典型值。在Iout = 0.5 A(2.5V版本) 扩展电池范围 1 kHz PSRR时高75 dB 适用于噪声敏感电路 内部软启动 限制浪涌电流 室温下±0.8%精度 高输出电压精度 热关断和限流保护 保护产品和系统免受损坏 使用小型1μF陶瓷电容器稳定 节省PCB空间和系统成本 应用 终端产品 电池供电设备 便携式通信设备 相机,...

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